Page 5842 - Revista Telebrasil

fusão físico-química é da ordem de 30 a

50 milhões de dólares. Isto para servir a

um m ercado b ra sile iro de m icro­

eletrônica, estimado em 400 milhões de

dólares, (representando menos de 2% do

mercado mundial).

Outro passo para a produção de CIs,

em escala industrial, é o da fabricação

de máscaras, que estará disponível, no

CTI, de Campinas, a partir de julho de

89, empregando recursos ópticos (para

raias de até 3 pm) e feixes eletrônicos

(para dimensões menores), segundo pro­

mete o diretor do CTI, Carlos Mam­

mana.

É no processo físico-químico, tam­

bém conhecido como Silicon foundry

(fundição do silício), que se nota o maior

atraso. Por ora, a fita do projeto, feita

em computador, é enviada para fundi­

ções no exterior voltando sob forma de

circuitos integrados (CIs). De acordo

com o 1“ Planin, foi atribuída às empre­

sas privadas Sid, Elebra e Itaucom a in­

cumbência de produzir componentes em
(E-DI Wanda Scartezinni (Sid), Carlos Morato (USP), Benedito F. de Oliveira (Finep), Cláu­

dio Mammana (CTI). discutem microeletrônica, no Info’88. escala industrial (em troca de incenti­
vos), importando-se apenas o silício ne­

cessário, cuja tecnologia de obtenção fi­

A área de projetos é uma das que está de chip deve o Brasil tentar produzir. caria circunscrita, a título de know-how

melhor servida no País. 0 CPqD da "Existem cerca de 200 a 300 fábricas no estratégico, à Universidade. A Elebra

Telebrás já projetou mais de trinta cir­ mundo, que formam o cartel dos compo­ teve crédito previsto de 11 milhões de

cuitos, do tipo dedicado, como por exem­ nentes de uso geral, tal como micro­ dólares, dos quais 30% foram, segundo a

plo destinado a equipar o telefone pa­ processadores e memórias, que reque­ Finep, liberados, mas o que tudo indica

drão eletrônico e está desenvolvendo rem investimentos entre 200 a 500 mi­ a tão esperada Silicon foundry ainda não

chip para interface da Rede Digital de lhões de dólares”, explica Kival Weber saiu do papel.

Circuito Integrado (RDSI), em tecnolo­ da SEI, dizendo que "por ora, este não No caso da Sid, disse Wanda Scarte­

gia CMOS de 1,25 pm. "Já podemos pro­ deverá ser nosso tipo de negócio. Se­ zinni que a empresa "tomou a decisão de

jetar integrados com até 50 mil transis­ gundo ele, o País deve concentrar esfor­ entrar na fabricação de circuitos bipola-

tores e mais” — observa com certo orgu­ ços nos ASICs (Application System ln- res avançados (uma tecnologia robusta

lho Carlos Alberto Pisani, do CPqD. tegrated Circuits), cuja ordem de gran­ de grau médio de integração) e em

Um problema que se coloca é que tipo deza de investimentos para ativar a di- CMOS (componentes de alta integra­
ção, baixo consumo e boa capacidade de

comutação digital), mas encontra difi-

cuklade em achar escala que viabilize o

volum e dos investim entos a serem

0 ciclo completo do silício Teitos”.

São mais de 500 produtos distintos

que a Sid relacionou como desneces­

São seis fatores que contribuem para n elevada precisão. sários para atender ao mercado brasilei­

obtenção de um Circuito Integrado (Cl): A fabricação de Cl exige a presença de ro. Este é m uito pouco padronizado,

projeto, fabricação de máscaras, processo elementos como silício monocristalino, visto contar com fornecedores e tecnolo­

físico-químico, insumos de alta pureza, gases reativos (arsina, fosfina) para dopa- gias de origens diversas, tanto no seg­

encapsulamento e teste. O conjunto per­ gem, metais com alto grau de pureza (mo*

faz o denominado ciclo completo do silício, libdènio, tungsténio, ouro) bem como ni- mento de telecomunicações quanto nos

se este foi o mineral de base adotado. A tretos, silicietos, óxidos e materiais semi­ de instrum entação e entretenimento.

parte de projeto é, em grande parte, auto­ condutores. Para se chegar ao silício mo­ Isto cria um problema de escassez na

matizada, graças à utilização de estações nocristalino, obtém-se do quartzo, por área de projetos e de máscaras neces­

gráficas, banco de dados e ferramentas de processo siderúrgico,' o silício metálico sárias para viabilizar a produção de CIs

logicial. A arquitetura digital do chip é que, purificado, clá o silício policristalino. num prazo curto de dois anos.

construída a partir de elementos singelos Este deverá ser fundido e crescido por epi- Para Wanda Scartezinni, náo se po­

que são repetidos, regularmente, forman­ taxia (estiramento) resultando em um ci­ derá escapar de acordos internacionais

do blocos e estruturas maiores que com­ lindro monocristalino, cujas lâminas poli­

põem o dispositivo de alta integração das formam as pastilhas (wafers) onde se­ visando a obtenção de máscaras para

(VLSI). A produção material de um Cl en­ rão feitos os CIs. fundir chips de uso geral, cujos projetos

volve a introdução de elementos químicos , O encapsulamento inclui a inserção de já estão disponíveis no mercado. Mas

(dopantes) em regiões do substrato do silí­ pinos, solda de terminais empregando não é só! A tecnologia para a fundição do

cio. Para isto, emprega-se processo lito­ metais nobres, como ouro, e proteção por silício, também deverá ser importada,

gráfico que requer a produção de másca­ cerâmica ou por epoxi. A fase de teste, que envolvendo investimentos da ordem de

ras, cujos layouts são ditados por fita de é grandemente automatizada, serve para 40 a 50 milhões de dólares. Jairo Cuper-

computador resultante da fase de projeto. identificar parâmetros do Cl e realimen- tino, do grupo Itaú, anunciou que a Itau-

Obtem-se as máscaras por processo de su­ tar, se preciso for, os processos das fases

cessivas ampliações e reduções fotográfi­ anteriores. O nível de tecnologia de um com e Elebra Microeletrônica iniciaram

cas. chip aval ia-se pela dimensão mínima pos­ sondagens junto a grupos japoneses

Os processos físico-químicos com­ sível entre dois elementos gravados. As­ para licenciamento da fabricação de cir­

preendem etapas como oxidação térmica sim, uma tecnologia de 1 míeron permiti­ cuitos digitais. Do lado de P&D uniram

do silício (em tornos de temperatura e at­ rá maior integração do que outra de 2,5 esforços as universidades e as empresas

mosfera controlados), a implantação iôni- micra. Meios ópticos permitem trabalhar Sid, Elebra e Itaucom, em torno do 2“

ca, a difusão de elementos, a deposição de até 3 micra, devendo se empregar a técni­ projeto de circuito integrado multiusuá-

filmes finos (pulverização catódica) e a ca de feixe eletrônico para se descer a di­ rio (em contraposição ao circuito dedi­

corrosão por plasma. Todos estes proces­ mensões menores.. cado), visando obtenção de resultados, a

sos envolvendo operações Industriais de
médio prazo. *